因此，凭业从应用的角度考虑，发展基于无镉体系的蓝光量子点LED是该领域亟待解决的问题，也是推动其产业化进程的关键。
绩说技位居（b）厚度约为5nm（顶部）和10nm（底部）的大面积PtTe2薄膜。话中（d-e）各种PtTe2薄膜的X射线衍射和拉曼光谱。
利用PtTe2的大SOT，天科进一步实现了PtTe2/Au/CoTb器件中垂直磁化的有效切换。图二、中信PtTe2薄膜的传输特性（a）PtTe2薄膜中电导率的温度依赖性。（2）基于TMD的SOT器件通常通过物理剥落法制造，国电因此无法扩展到实际应用中。
（c-d）PtTe2/Py堆的截面HAADF-STEM图像，息百以及矩形区域被放大重叠的原子模型显示Pt和Te原子形成高质量的PtTe2晶格。图三、强榜前列研究SOT的PtTe2/Py双层示意图（a）具有GSG连接的ST-FMR设备的布局。
图四、凭业PtTe2/Py堆叠的ST-FMR结果（a）Vmix对PtTe2(5)/Py(10)的频率依赖性。
然而，绩说技位居有以下两个关键问题需要解决：（1）大多数TMD材料的电导率比HMs低几个数量级，导致大部分电流在FM层中流动，因此有效的磁化开关更少。（e，话中f）最佳PVDF浓度6wt％与最佳PPCF厚度为2mm且PVDF浓度为6wt％的FW-TENG之间的电压和电流、功率输出比较。
图4不同表面形貌的FW-TENG输出性能比较（a）不同表面微观形貌结构修饰（包括圆柱、天科立方、金字塔及纳米褶皱结构）的FW-TENG的输出性能表征。通过系统研究和优化复合薄膜的介电性能、中信厚度和表面结构，获得了瞬时最大功率密度为832.05mW/m2。
由于摩擦电荷密度在很大程度上取决于介电材料的介电性能，国电因此，国电研发并优化具有高输出性能和介电性能的摩擦电材料是提高柔性TENG器件的有效途径。息百（k）FW-TENG点亮LED灯和驱动电子计时器等小型电子器件的应用。
